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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
39
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
7.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
39
Velocità di lettura, GB/s
13.9
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
1768
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
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