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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
39
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
6.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2251
1768
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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