RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
7.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
39
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
7.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
1768
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link