RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
36
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2618
2370
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 996902 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link