RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
25
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3130
3023
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NF-DI 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR648-PSB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link