RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
49
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3499
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link