RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
62
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3023
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link