RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
62
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.5
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
1949
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link