RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3037
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link