RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2979
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link