RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3206
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link