RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2083
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link