RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2987
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link