RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2987
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link