RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
53
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
16.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
53
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2366
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link