RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
28
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2929
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link