RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
55
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
55
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2117
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link