RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
55
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
55
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
9.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2117
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link