RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
92
Около -217% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2909
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link