RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
2307
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link