RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2307
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PEP22G6400LL 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link