RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2307
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link