RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2307
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link