RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
49
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2801
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung 9905428-095.D00LF 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link