RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около 41% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
49
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2801
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link