RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
79
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
79
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
1850
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Mushkin 991586 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link