RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
62
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
26
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3938
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link