RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 62
    Около -138% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.2 left arrow 7.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    17.3 left arrow 5.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    62 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    7.4 left arrow 18.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.9 left arrow 17.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1612 left arrow 3938

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
модули RAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
модули RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73CB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73CB0-YK0 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
модули RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1066 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1066 4GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
модули RAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
модули RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
модули RAM
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
модули RAM