RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
29
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3285
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link