RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
62
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
36
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2055
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Elpida EBJ20UF8BCS0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link