RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
24
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3690
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Kingston 9905471-001.A00LF 2GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link