RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
62
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
45
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3027
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link