RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
62
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
28
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2665
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link