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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razões a considerar
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
62
Por volta de -121% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
28
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2665
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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