RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
62
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.2
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
33
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2284
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link