RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
62
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
44
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2191
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link