RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
4.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
4.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
4.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
4.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1046
3098
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link