RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
87
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3648
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link