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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
87
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
26
读取速度,GB/s
3,155.6
19.4
写入速度,GB/s
870.4
15.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3648
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
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