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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
47
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
38
读取速度,GB/s
11.8
14.0
写入速度,GB/s
8.0
10.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2055
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
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