RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
65
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2707
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology C 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
UMAX Technology 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link