RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
65
Por volta de -225% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
20
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
14.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2707
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link