RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
65
Wokół strony -242% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3521
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link