RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
65
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3112
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link