RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3394
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link