RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2068
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link