RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2790
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link