RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
65
Wokół strony -210% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2073
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link