RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
65
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
47
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2362
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Lenovo 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link