RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2892
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link