RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2622
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link