RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3217
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Lenovo 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link