RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
65
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2298
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link